CVD化学气相沉积装置由升华室、反应室、气路系统、和真空系统组成，采用智能化程序控温系统，可控硅控制，控温精度高；内置多个温区，可以营造不同的温度梯度。用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等。

1、升华室主要包括有不锈钢容器，不锈钢高温阀、压力表、电热合金丝发热体、质子流量计、热电偶、温控装置和保温系统。主要用于对前驱体的加热升华和调控通入反应室的气体流量, 控温温度可以在100-700℃之间自由设定，由K分度号热电偶+精密数显程序控温仪实现升华室温度的自动程序升降，控温精度：±1℃，升华室配置数量为2个。

2、反应室主要包括不锈钢容器、压力表、质子流量计、电热合金丝发热体、热电偶、温控系统、真空系统、保温系统、载物台。控温温度可以在100-900℃之间自由设定，由K分度号热电偶+精密数显程序控温仪实现反应室温度的自动程序升降，控温精度：±1℃，反应室配置数量为1个。

3、气路系统采用∮6×1mm，316L材质不锈钢管实现气体的运输、气体流量的精确控制、减压阀的准确快速切换以及废气的处理。在气体运输过程中，需要对管道进行加热保温处理，防止混合气体在运输过程中发生冷凝，加热系统由K分度号热电偶+智能数显控温仪+电热合金丝发热体实现气路管道的温度控制，控温精度：±1℃。

4、真空系统主要用于控制反应室内压强，保证化学气相沉积反应能在预定的压强下进行实验，真空度：10Pa。

CVD化学气相沉积

化学气相沉积反应装置

CVD管式炉